每年7月往往是半導(dǎo)體行業(yè)新產(chǎn)品發(fā)布和評選活動扎堆的時刻,頗有些“期中考”的味道。AMEC憑借其刻蝕設(shè)備“PrimoD-RIE”有幸獲得“2009年度SI編輯最佳產(chǎn)品獎”和“2009 Frost & Sullivan Asia PacificIndustrial Technologies Award as the Emerging Semiconductor Companyof the Year”。 PrimoD-RIE于2007年12月正式發(fā)布,主要面向65nm及45nm工藝、300mm晶圓。與市場上的現(xiàn)有產(chǎn)品相比處理能力提高35-50%、成本則降低30-40%。AMEC于2007年6月向客戶交付了測試機。該設(shè)備是中國本土生產(chǎn)的核心設(shè)備**進入國際主流生產(chǎn)線。
一般來說,等離子體刻蝕工藝主要包括三類:濺射、化學(xué)刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕(Reactive IonEtching,RIE)。RIE通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕,具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點,同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。目前,RIE已成為VLSI中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕工藝。
PrimoD-RIE主要針對300mm芯片制造,具有單晶圓獨立加工環(huán)境。此設(shè)備擁有自主知識產(chǎn)權(quán),以及高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源,可加工65/45納米芯片,并可延伸到下一代更**芯片制造。其應(yīng)用包括極深接觸孔刻蝕、硬掩膜刻蝕、金屬接觸孔刻蝕、淺槽刻蝕等各種電介質(zhì)刻蝕。通過低頻率RF與高頻率RF的分離,實現(xiàn)了等離子密度和能源的獨立控制,可應(yīng)用于DRAM、閃存、邏輯等制造。
AMEC成立于2004年,由尹志堯和他的硅谷伙伴一起組建。作為在美國打拼了超過20年的典型硅谷創(chuàng)業(yè)者,其理科背景出身、多年美國大公司高管的經(jīng)歷,讓尹志堯成了一個懂技術(shù)、擅經(jīng)營的老板。AMEC目前已進入刻蝕與CVD市場,與應(yīng)用材料、Lam、TEL等公司成了“同行”。其總部設(shè)在英屬開曼群島,開發(fā)基地位于上海市,銷售基地位于新加坡。得益于技術(shù)上的突破和風(fēng)險投資的支持,AMEC有望成為國際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭們的強有力競爭者。
目前,全球半導(dǎo)體市場正持續(xù)轉(zhuǎn)向消費電子,消費者對終端價格的敏感度讓芯片制造企業(yè)感受到****的壓力,成本已成為決定芯片制造公司能否成功的關(guān)鍵之一。芯片制造業(yè)向亞洲轉(zhuǎn)移已是毋庸置疑,但是作為上游的半導(dǎo)體設(shè)備工業(yè)卻仍然根在美國本土。中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直以來都是“路漫漫”并“上下求索”,缺乏自主知識產(chǎn)權(quán)和核心**的保護是困難所在。那么,在產(chǎn)業(yè)日益成熟,并且成本成為主要驅(qū)動力的情況下,如何發(fā)揮本土設(shè)備的優(yōu)勢引得眾人苦苦思索。
其實,中國本土設(shè)備企業(yè)可以采取一系列的辦法來跨越**障礙,例如:與世界**的設(shè)備企業(yè)聯(lián)合,共同開發(fā)新產(chǎn)品新工藝;加強與**用戶的直接合作,實現(xiàn)關(guān)鍵零部件的國產(chǎn)化;聯(lián)合國內(nèi)的院校和研究所,引進國際上的先進技術(shù)人才等。對于突破口,與其考慮技術(shù)難度大、易受國外制約的關(guān)鍵設(shè)備,不如重視技術(shù)難度相對小而又量大面廣的設(shè)備。
半導(dǎo)體設(shè)備的戰(zhàn)場上,AMEC繞開“豪門”設(shè)備之爭,以“中國制造”的優(yōu)勢獲得國際同行的首肯,此番獲獎?wù)亲詈米C明。