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BL8530C BL8530C[產(chǎn)品打印頁(yè)面]


產(chǎn)品名稱: BL8530C BL8530C
產(chǎn)品型號(hào): BL8530C BL8530C
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電話:021-54939377   021-54939344
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簡(jiǎn)單介紹
BL8530C BL8530C是一種采用CMOS工藝生產(chǎn)的PFM升壓型DC/DC驅(qū)動(dòng)電路。最少只要外接四個(gè)器件就可以構(gòu)建成升壓電路:一個(gè)功率MOS管,一個(gè)電感,一個(gè)肖特基二極管和一個(gè)濾波電容。輸入電壓范圍為0.8V~6V,待機(jī)電流可低至1uA,無(wú)負(fù)載靜態(tài)電流典型值僅20uA,主振蕩器工作頻率350KHz,

BL8530C BL8530C 的詳細(xì)介紹

BL8530C BL8530C是一種采用CMOS工藝生產(chǎn)的PFM升壓型DC/DC驅(qū)動(dòng)電路。最少只要外接四個(gè)

器件就可以構(gòu)建成升壓電路:一個(gè)功率MOS管,一個(gè)電感,一個(gè)肖特基二極管和一個(gè)濾

波電容。輸入電壓范圍為0.8V~6V,待機(jī)電流可低至1uA,無(wú)負(fù)載靜態(tài)電流典型值僅

20uA,主振蕩器工作頻率350KHz,根據(jù)所選型號(hào)可輸出2.5V~6.0V恒定電壓,精度高達(dá)

±2%,溫度系數(shù)100ppm/℃,可廣泛應(yīng)用于各類電池供電的便攜電子設(shè)備。

1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5), BL8530C-502RM(SOT23-3)

BL8530C-602RN(SOT23-5), BL8530C-602RM(SOT23-3)

2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET

3 L1 4.7uH 低ESR 功率電感,要求直流電阻小與0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二極管

5 Cin 10uF/10V 電解電容

6 Cout 100uF/16V 鉭電容

7 R1 10KΩ電阻

8 D2 發(fā)光二極管

本手機(jī)應(yīng)急充器具有線路簡(jiǎn)單,效率高的特點(diǎn), 雙AA 電池供電時(shí)充電電流可

達(dá)500mA,效率大于80%,充電時(shí)發(fā)光二極管會(huì)點(diǎn)亮。采用BL8530C-502RN/RM 時(shí)

輸出為5V,可應(yīng)用于充電電壓為5V 的各類手機(jī),采用BL8530C-602RN/RM 時(shí)輸出

電壓為6V,可用于諾基亞手機(jī)應(yīng)急充電。電路**率MOS 管選用低開啟電壓、低

導(dǎo)通電阻型,如AO3418、IRF7807V 等,電感必須采用低直流電阻型功率電感,選

取范圍3.3uH~10uH,直流電阻小于0.1 Ω。電感取值為3.3uH 時(shí)有利于提高低工

作電壓時(shí)的輸出能力,雖然輕負(fù)載時(shí)輸出紋波會(huì)略大,但對(duì)于充電應(yīng)用應(yīng)該沒有

太大影響。

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1 U1 BL8530C-502RN(SOT23-5)

2 Q1 AO3418 N 溝道MOSFET

3 L1 27uH 低ESR 功率電感,要求直流電阻小與0.1Ω

4 D1 1N5817 肖特基二極管

5 Cin 10uF/47V 電解電容

6 Cout 100uF/16V 鉭電容

7 Cp 1000pF 陶瓷電容

 



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