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存儲器 EEPROM（HT24LC02/HT93LC46/AT24LC02/***4LC02...）

液晶驅(qū)動芯片(HT1621/HT1621B/HT1622/HT1623/HT1625/HT1647...)

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HT71xx 30mA穩(wěn)壓芯片

HT75xx 100mA穩(wěn)壓芯片

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產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	ME6209A45 ME6209A45PG	ME6209A45是一組正電壓輸出，三銷調(diào)節(jié)器，可提供高電流，當(dāng)輸入/輸出電壓變化很小。低功耗和高**度是通過CMOS工藝實現(xiàn)的。他們允許的輸入電壓高達18V.
	ME6209A40 ME6209A40PG、ME6209A40M3G	ME6209A40是一組正電壓輸出，三銷調(diào)節(jié)器，可提供高電流，當(dāng)輸入/輸出電壓變化很小。低功耗和高**度是通過CMOS工藝實現(xiàn)的。他們允許的輸入電壓高達18V.
	ME6209A33 ME6209A33M3G、ME6209A33PG、ME6209A33TG	ME6209A33是一組正電壓輸出，三銷調(diào)節(jié)器，可提供高電流，當(dāng)輸入/輸出電壓變化很小。低功耗和高**度是通過CMOS工藝實現(xiàn)的。他們允許的輸入電壓高達18V.
	ME6208A30 ME6208A30PG、ME6208A30TG	ME6208系列是一個低壓差的線性穩(wěn)壓器，內(nèi)置電壓參考模塊，誤差校正模塊和相位補償模塊。ME6208A30是基于CMOS工藝，高電壓輸入，低靜態(tài)電流。ME6208設(shè)置內(nèi)部反饋電阻功能，從3V到5V。輸出精度為± 3％。
	ME8311 ME8311	ME8311是一種高性能的AC / DC電源控制器，內(nèi)部集成600V/1A MOSEFT,主要應(yīng)用于5W 電池充電器、適配器、輔助電源。該芯片采用脈沖頻率調(diào)制(PFM)方式，高精度定電壓/恒電流(CV/ CC)的原邊反饋， ME8311可以實現(xiàn)高平均效率、可提供線損補償?？梢暂p松做到待機100mW內(nèi)。
	ME4057 ME4057;ME4057B	ME4057是一款采用恒流 /恒壓方式，專用于單節(jié)鋰電池線性充電的芯片；ME4057底部帶有散熱片的 SOP8/MSOP8封裝與較少的外部元件，使 ME4057成為便攜式應(yīng)用的理想選擇。ME4057可以適合 USB電源和適配器電源工作。
	ME2807A45M3G ME2807A45,ME2807A45M3G	ME2807A45M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A45M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到4.5V時ME2807A45M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A43M3G ME2807A43,ME2807A43M3G	ME2807A43M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A43M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到4.3V時ME2807A43M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A42M3G ME2807A42,ME2807A42M3G	ME2807A42M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A42M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到4.2V時ME2807A42M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A40M3G ME2807A40,ME2807A40M3G	ME2807A40M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A40M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到4.0V時ME2807A40M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A39M3G ME2807A39,ME2807A39M3G	ME2807A39M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A39M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.9V時ME2807A39M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A38M3G ME2807A38,ME2807A38M3G	ME2807A38M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A38M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.8V時ME2807A38M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A36M3G ME2807A36,ME2807A36M3G	ME2807A36M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A36M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.6V時ME2807A36M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A35M3G ME2807A35,ME2807A35M3G	ME2807A35M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A35M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.5V時ME2807A35M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A33M3G ME2807A33,ME2807A33M3G	ME2807A33M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A33M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.3V時ME2807A33M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A30M3G ME2807A30,ME2807A30M3G	ME2807A30M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A30M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.7V時ME2807A30M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A27M3G ME2807A27,ME2807A27M3G	ME2807A27M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A27M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.7V時ME2807A27M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A25 ME2807A25,ME2807A25M3G	ME2807A25M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A25M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.5V時ME2807A25M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A25M3G ME2807A25,ME2807A25M3G	ME2807A25M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A25M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.5V時ME2807A25M3G復(fù)位輸出低電平。
	ME2807A24M3G ME2807A24,ME2807A24M3G	ME2807A24M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A24M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.4V時ME2807A24M3G復(fù)位輸出低電平。

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