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HOLTEK單片機(jī)系列:(HT46XX/HT48XX/HT49XX系列)
MICRONE(南京微盟電子)
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TOREX (電壓檢測(cè)/穩(wěn)壓/DC-DC轉(zhuǎn)換)
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電壓檢測(cè)芯片(其他品牌)
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存儲(chǔ)器 EEPROM(HT24LC02/HT93LC46/AT24LC02/***4LC02...)
液晶驅(qū)動(dòng)芯片(HT1621/HT1621B/HT1622/HT1623/HT1625/HT1647...)
HT70xx系列 電壓檢測(cè)芯片
HT71xx 30mA穩(wěn)壓芯片
HT75xx 100mA穩(wěn)壓芯片
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MICRONE(南京微盟電子)
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ME2801A30
ME2801A30M3G,ME2801A30PG
ME2801A30是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高達(dá):1%,且溫度漂移小。ME2801A30輸出方式為:CMOS輸出,無(wú)需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到3.0V時(shí)ME2801A30復(fù)位輸出低電平。
ME2801A27
ME2801A27M3G ME2801A27PG
ME2801A27是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高達(dá):1%,且溫度漂移小。ME2801A27輸出方式為:CMOS輸出,無(wú)需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.7V時(shí)ME2801A27復(fù)位輸出低電平。
ME2801A25
ME2801A25是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高:1%,且溫度漂移小。ME2801A25輸出方式為:CMOS輸出,無(wú)需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.5V時(shí)ME2801A25復(fù)位輸出低電平。
ME2801A24
ME2801A24M3G
ME2801A24是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高:1%,且溫度漂移小。ME2801A24輸出方式為:CMOS輸出,無(wú)需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.4V時(shí)ME2801A24復(fù)位輸出低電平。
ME2801A22
ME2801A22M3G
ME2801A22是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高:1%,且溫度漂移小。ME2801A22輸出方式為:CMOS輸出,無(wú)需外掛上拉電阻。當(dāng)電壓降低到2.2V時(shí)ME2801A22復(fù)位輸出低電平。
ME2802A21 ME2801A24 ME2801A25 ME2801A30 ME2801A33
ME2802A21 ME2801A24 ME2801A25 ME2801A30 ME2801A33
ME2802A21 ME2801A24 ME2801A25 ME2801A30 ME2801A33系列是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高,且溫度漂移小。輸出方式:N溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出。ME2802系列產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)合:微處理器復(fù)位電路、存貯器電池后備電路、上電復(fù)位電路、掉電檢測(cè)、系統(tǒng)電池壽命和充電電壓監(jiān)視!該產(chǎn)品具有高精度、低功耗、防靜電擊穿等優(yōu)勢(shì);可定制電壓
ME2801A25 ME2801A27 ME2801A30 ME2801A33
ME2801A25 ME2801A27 ME2801A30 ME2801A33
ME2801A25 ME2801A27 ME2801A30 ME2801A33系列是高精度低功耗電壓檢測(cè)器,采用CMOS工藝技術(shù)制造,檢測(cè)電壓**度高,且溫度漂移小。輸出方式:CMOS。.產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)合:? 微處理器復(fù)位電路;? 存貯器電池后備電路; ? 上電復(fù)位電路;? 掉電檢測(cè);? 系統(tǒng)電池壽命和充電電壓監(jiān)視
ME6204A15 ME6204A18 ME6204A27 ME6204A30 ME6204A33
ME6204A15 ME6204A18 ME6204A27 ME6204A30 ME6204A33
ME6204A15 ME6204A18 ME6204A27 ME6204A30 ME6204A33系列是以 CMOS 工藝制造的高精度,低噪音,超快響應(yīng)低壓差線性穩(wěn)壓器。ME6204系列系列的穩(wěn)壓器內(nèi)置固定的叁考電壓源,誤差修正電路,限流電路,相位補(bǔ)償電路以及低內(nèi)阻的MOSFET,ME6204系列達(dá)到高紋波抑制,低輸出噪音,超快響應(yīng)低壓差的性能。
ME6219A15 ME6219A18 ME6219A25 ME6219A30 ME6219A33
ME6219A15 ME6219A18 ME6219A25 ME6219A30 ME6219A33
ME6219A15 ME6219A18 ME6219A25 ME6219A30 ME6219A33是以 CMOS 工藝制造的高精度,低噪音,快響應(yīng)低壓差線性穩(wěn)壓器。IC的穩(wěn)壓器內(nèi)置固定的叁考電壓源,誤差修正電路,限流電路,補(bǔ)償電路以及低內(nèi)阻的MOSFET,達(dá)到高紋波抑制,低輸出噪音,超快響應(yīng)低壓差的性能。兼容體積比鉭電容更小的陶瓷電容,而且不需使用0.1μF 的 By-pass電容,更能節(jié)省空間
ME6206A152 ME6206A182 ME6206A1302 ME6206A332
ME6206A152 ME6206A182 ME6206A1302 ME6206A332
ME6206A152 ME6206A182 ME6206A1302 ME6206A332 系列是高紋波抑制率、低功耗、低壓差,具有過(guò)流和短路保護(hù)的CMOS降壓型電壓穩(wěn)壓器。器件ME6206A系列具有很低的靜態(tài)偏置電流(8.0μA Typ.),ME6206A系列能在輸入、輸出電壓差極小的情況下提250mA的輸出電流,并且仍能保持良好的調(diào)整率。
ME2108A27 ME2108A30 ME2108A33 ME2108A50
ME2108A27 ME2108A30 ME2108A33 ME2108A50
ME2108A27 ME2108A30 ME2108A33 ME2108A50系列 DC/DC芯片是采用CMOS工藝制造的低靜態(tài)電流的PFM開(kāi)關(guān)型DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器。ME2108系列系列芯片采用先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和制造工藝,極大地改善了開(kāi)關(guān)電路固有的噪聲問(wèn)題,減小對(duì)周圍電路的干擾。ME2108系列輸出電壓為2.0V~7.0V(按0.1V的級(jí)差),振蕩頻率為180KHz(典型值)。
ME7660C ME7660CS ME7660CD
ME7660C ME7660CS ME7660CD
ME7660C ME7660CS ME7660CD是DC/DC電荷泵電壓反轉(zhuǎn)專用集成電路。采用AL柵CMOS工藝及優(yōu)化的設(shè)計(jì)。芯片能將輸入范圍為+2.5V至+10V的電壓轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的-2.5V至-10V的輸出,并且只需外接兩只低損耗電容,降低了損耗、面積及電磁干擾。芯片的振蕩器額定頻率為10KHz,應(yīng)用于低輸入電流情況時(shí),可于振蕩器與地之間外接一電容,從而以低于10KHz的振蕩頻率正常工作。
ME2100A27 ME2100A30 ME2100A33 ME2100A50
ME2100A27 ME2100A30 ME2100A33 ME2100A50
ME2100A27 ME2100A30 ME2100A33 ME2100A50是采用CMOS工藝制造的低靜態(tài)電流的PFM開(kāi)關(guān)型DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器。ME2100系列芯片采用先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和制造工藝,改善了開(kāi)關(guān)電路固有的噪聲問(wèn)題,減小對(duì)周圍電路的干擾。輸出電壓為2.0V~7.0V,振蕩頻率為100KHz;組成DC/DC升壓電路只需接三個(gè)外圍元件, 一只肖特基二極管、一只電感和一只電容。
微盟全線電源產(chǎn)品介紹
微盟全線電源產(chǎn)品介紹
微盟全線電源產(chǎn)品介紹:南京微盟電子專注于 DC/DC升壓芯片; DC/DC反轉(zhuǎn)/倍壓芯片;應(yīng)用于低端民用產(chǎn)品的微功耗、低壓差 LDO穩(wěn)壓芯片;0.7V-7.0V微功耗電壓檢測(cè)芯片;恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片;
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